在各大廠商爭(zhēng)相卡位進(jìn)入無(wú)線充電芯片市場(chǎng)時(shí)，其芯片與線圈設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)不容忽視。 高創(chuàng)科技營(yíng)銷部經(jīng)理王世偉(圖4)表示，無(wú)線充電實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上常見瓶頸來(lái)自五大因素，包含線圈距離、對(duì)位、線圈大小、厚度與溫度等問題。高創(chuàng)科技營(yíng)銷部經(jīng)理王世偉表示，線圈距離、對(duì)位、線圈大小、厚度與溫度是無(wú)線充電設(shè)計(jì)時(shí)常見的瓶頸。今天無(wú)線充電芯片小編給大家來(lái)講解下無(wú)線充電芯片的設(shè)計(jì)，給大家有更多的了解：

線圈距離：當(dāng)所有參數(shù)完全相同時(shí)，線圈距離確實(shí)是效率最重要的因素之一，但是并非愈近愈好。 實(shí)際上RX端軟磁(Ferrite)接近TX線圈時(shí)，會(huì)引起TX線圈感值上升，這個(gè)現(xiàn)象導(dǎo)致諧振頻率偏移，進(jìn)而造成充電效率會(huì)反轉(zhuǎn)下降；基于此，須要改變接收線圈的架構(gòu)。 王世偉提到，該公司改變天線時(shí)的主要項(xiàng)目會(huì)從外型、線圈材料及集膚深度、線圈匝數(shù)及匝間距離、Ferrite μ值及厚度與外圍順磁材料及逆磁材料的相對(duì)位置等部分著手，以提高接收線圈Vp-p，同時(shí)降低RX系統(tǒng)的起動(dòng)電壓。

對(duì)位：常見對(duì)位方式有三種，包含機(jī)構(gòu)、磁吸與感測(cè)等方式，但現(xiàn)有對(duì)位方式皆有其缺點(diǎn)。 利用機(jī)構(gòu)者，無(wú)法在平面物體上對(duì)位；利用磁吸者，會(huì)影響其他組件(如MEMS、Hold Sensor)，或造成效率降低(如馬達(dá)、磁場(chǎng))；利用感測(cè)組件者，原有產(chǎn)品需要額外組件(如光敏電阻)，或材質(zhì)受到限制。 王世偉建議，可將LC共振結(jié)合Ferrite對(duì)線圈造成感值變化的特性使其具備對(duì)位提示之功能。

線圈大?。簝蓚€(gè)線圈間的互感量和線圈的面積成正比，所以提高線圈的面積，可以有效提高互感的磁通量，進(jìn)而提高感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。 高創(chuàng)在線圈面積差距大的個(gè)案中常利用提升感值來(lái)改善效率，便是基于法拉第感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)公(Electromagnetic Induction)，唯為了維持Rdc的一致性必需增加導(dǎo)體的截面積。

厚度：當(dāng)Ferrite達(dá)到飽和時(shí)，導(dǎo)磁率會(huì)快速下降，深度飽和時(shí)導(dǎo)磁率接近空氣。 而經(jīng)實(shí)務(wù)發(fā)現(xiàn)，在μ不變的前提下，提高彈性導(dǎo)磁率(μ')，降低粘性導(dǎo)磁率(μ")可以提高效率，然而在現(xiàn)有制程技術(shù)中，濕式燒結(jié)法難以突破。 基于此，干式燒結(jié)是暫時(shí)的必要之法，透過此方法，可以輕易達(dá)到μ>1000，但是現(xiàn)有制程有難以降低厚度(必需研磨)、燒結(jié)后曲翹(變型)以及研磨及運(yùn)送過程易碎(良率不佳)等缺點(diǎn)。

溫度：由于電路上的限制，必需保持一定的R值(高頻中的電組成分)，加上銅線本身的長(zhǎng)度及截面積會(huì)產(chǎn)生電阻，磁材也有鐵損，在實(shí)務(wù)中線圈組常會(huì)有溫度產(chǎn)生。

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